Recon Wafer Process（晶圆重构）：
华宇电子提供专业的8英寸和12英寸Recon Wafer 服务，覆盖从晶圆来料检测到成品包装的全流程。
技术优势
高精度加工：切割崩边≤5μm，缺陷检测分辨率0.5μm。
严格品控：多环节AOI检测，洁净度达颗粒残留≤10颗（≥0.1μm）。
成熟工艺
支持12英寸晶圆低应力BG膜贴合、无气泡作业。
分选效率UPH 20K，支持13 BIN分类，适配图像传感器、IC等多种芯片。
质量与交付
包装标准：真空晶舟盒（8英寸25片/盒，12英寸13片/盒）。
符合行业高良率要求，提供稳定量产服务。
Stealth Dicing Process（激光隐切）：
华宇电子提供专业的8英寸和12英寸 Stealth Dicing 服务。
技术特点
完全干燥工艺：无需冷却液或其他介质，减少污染风险。
无截口损失：切割过程中材料损耗极低，提升利用率。
无切屑：避免碎屑对精密器件的影响，提高成品率。
高弯曲强度：切割后的材料结构更稳定，适用于高应力环境。
切割道：适应更窄的切割道宽度。
隐切原理
隐形切割技术可将能够穿透材料的波长的激光光束聚焦，在内部聚焦并形成晶圆破裂的起点(改性层:隐形切割层，以下称为“SD 层”)，然后向晶圆施加外部应力，将其分离。该过程主要由两部分组成，一般被称为激光改制过程与晶圆扩展分离过程，
隐切激光改制过程
激光光束聚焦在晶圆内部，形成 SD 层以分离晶圆。
裂纹也从 SD 层形成，而 SD 层在内部朝向晶圆的顶部和底部表面形成，这些裂纹通过激光光束扫描沿着计划的切割线连接。此外，为了切割 MEMS 器件等厚晶圆，在厚度方向上形成多个 SD 层，然后连接裂纹。
根据SD层行为可以分为
晶圆扩展分离过程
通过胶带膨胀等行为在周边方向上拉紧胶带，对已形成 SD 层的晶圆施加外力。这会对晶圆的内部裂纹状态施加拉应力，并使裂纹延伸到顶部和底部表面，从而分离晶片。由于晶圆分离是通过延伸裂纹进行的，因此没有应力施加在器件上。此外，由于基本上没有截口损失，这会提高芯片成品率。
Machine model：DISCO DFL7362、DISCO DDS230
公司凭借先进设备、严格工艺控制和全流程服务，可为客户提供高可靠性Recon Wafer & Stealth Dicing 解决方案。
